DS1270W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature Range
Lead Temperature (soldering, 10s)
-0.3V to +4.6V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-40°C to +85°C
+260°C
Note: EDIP is wave or hand soldered only.
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect
reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
Power-Supply Voltage
Logic 1 Input Voltage
Logic 0 Input Voltage
SYMBOL
V CC
V IH
V IL
MIN
3.0
2.2
0.0
TYP
3.3
MAX
3.6
V CC
+0.4
UNITS
V
V
V
NOTES
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A : See Note 10; V CC = 3.3V ± 0.3V)
PARAMETER
Input Leakage Current
I/O Leakage Current
SYMBOL
I IL
I IO
MIN
-4.0
-4.0
TYP
MAX
+4.0
+4.0
UNITS
μ A
μ A
NOTES
Output Current at 2.2V
Output Current at 0.4V
I OH
I OL
-1.0
2.0
mA
mA
Standby Current CE = 2.2V
Standby Current CE = V CC - 0.2V
Operating Current
I CCS1
I CCS2
I CCO1
150
100
300
200
50
μ A
μ A
mA
Write Protection Voltage
V TP
2.8
2.9
3.0
V
CAPACITANCE
(T A = +25 ° C)
PARAMETER
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
20
20
MAX
40
40
UNITS
pF
pF
NOTES
3 of 8
相关PDF资料
DS1270Y-70IND# IC NVSRAM 16MBIT 70NS 36DIP
DS1330WP-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
DS1330YP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM
DS1345WP-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM
DS1345YP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34PCM
DS1350WP-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM
DS1350YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM
DS1609-50+ IC SRAM 2KBIT 50NS 24DIP
相关代理商/技术参数
DS1270W-100IND# 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270W-150# 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270Y-100 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270Y-100# 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270Y-70 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270Y-70# 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270Y-70IND 功能描述:NVRAM 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube